SBR-03


  1. 概要
    SBR-03は,ユニオプトが新しく開発した測定原理に基づいた複屈折測定装置です.試料に入射させる偏光状態を変調しながら回転させることによって,試料の複屈折と主軸方位を同時に求めます.測定ダイナミックレンジが広いこと,測定分解能が高いことが特徴です. (特許第3844222号)s-br3s
  2. 性能
     仕様複屈折位相差主軸方位角
    測定性能分解能0.05 nm (at 633 nm)0.2 deg.
    範囲0 - 180 deg.
    (0 - 316 nm at 633 nm)
    ± 90 deg.
    繰り返し精度0.06 nm (Re = 0 nm)
    0.3 nm (Re = 158 nm)
    -
    0.5 deg.
    測定速度Appx. 1 sec. / point
    光学系測定原理偏光変調回転法
    光源He-Neレーザー (λ=632.8 nm)
    オプションによりその他の波長も検討致します.
    試料ステージ系固定方法別途相談(標準走査範囲 : 50 x 50 nm以下)
    試料の主軸方位は既知(主軸方位固定)であること.

  3. 赤外光モデル(SBR-3-IR)
     SBR-3-IRは, 赤外光源の複屈折装置です. 光源の波長を近赤外(λ=1,550 nm)とすることにより, 従来測定が困難であったシリコンなどの半導体の複屈折分布を,高精度に測定することが可能となりました.
     仕様複屈折位相差主軸方位角
    測定性能分解能0.05 nm (at 1550 nm)0.2 deg.
    範囲0 - 180 deg.
    (0 - 775 nm at 1550 nm)
    ± 90 deg.
    繰り返し精度0.15 nm (Re = 0 nm)
    0.5 nm (Re = 388 nm)
    -
    0.5 deg. (Re = 388 nm)
    測定速度Appx. 1 sec. / point
    光学系測定原理偏光変調回転法
    光源レーザーダイオード(λ=1550 nm)
    試料ステージ系固定方法別途相談(標準走査範囲 : 50 x 50 nm以下)
    試料の主軸方位は既知(主軸方位固定)であること.

  4. 赤外光モデルの用途・応用例
    • シリコンインゴット等の結晶材料の残留応力分布測定
    • 高分子フィルムの複屈折測定

      Si-W0227HA 解析_BIT2

      シリコンディスク(Φ25 x 2 mm)の計測例

      Si-W0227HD  解析_BIT2

      外部から負荷をかけた例
      光弾性複屈折が観測できる.